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IPB067N08N3 G /
IPB067N08N3 G的规格信息
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3840pF @ 40V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):136W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 73A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PG-TO263-3

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 73µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 10V

安装风格:SMD/SMT

通道数量:1Channel

晶体管极性:N-Channel

Id-连续漏极电流:80A

Rds On-漏源导通电阻:6.7mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20V

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+175C

配置:Single

Pd-功率耗散:136W

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:CutTape

高度:4.4mm

长度:10mm

系列:OptiMOS3

晶体管类型:1N-Channel

宽度:9.25mm

下降时间:8ns

上升时间:66ns

典型关闭延迟时间:31ns

典型接通延迟时间:16ns

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IPB067N08N3 G
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB067N08N3 G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPB067N08N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB067N08N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB067N08N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB067N08N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB067N08N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPB067N08N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077
刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
Email:seven@7-ic.com询价
集好芯城IPB067N08N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城IPB067N08N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司IPB067N08N3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB067N08N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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IPB067N08N3 GMOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.1 Mbytes共11页IPB067N08N3 G的PDF下载地址
IPB067N08N3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 73uA 漏源导通电阻:6.7mΩ @ 73A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1013.98 Kbytes共11页IPB067N08N3 G的PDF下载地址
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ChipOneStop
IPB067N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1000+:¥6.31
2000+:¥5.87
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100+:¥6.9
500+:¥6.89
1000+:¥6.44
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25000+:¥5.61+:¥19.19
25+:¥16.08
100+:¥13.76
250+:¥12.04
500+:¥10.76
1000+:¥8.781+:¥10.87
10+:¥6.05
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100+:¥5.1999
200+:¥4.65
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Digi-Key 得捷电子
IPB067N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1000+:¥6.31
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IPB067N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1000+:¥6.31
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Mouser 贸泽电子
IPB067N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
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Mouser 贸泽电子
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立创商城
IPB067N08N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 73uA 漏源导通电阻:6.7mΩ @ 73A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.87
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